导读：专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，更具体的说，涉及一种包含射频系统的半导体处理设备。本发明提供了一种半导体处理设备，至少包括反应腔室、射频接收极、射频发射极：所述射频接收极，设置在反应腔室内的上方；所述射频发射极，设置在反应腔室...
专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，更具体的说，涉及一种包含射频系统的半导体处理设备。本发明提供了一种半导体处理设备，至少包括反应腔室、射频接收极、射频发射极：所述射频接收极，设置在反应腔室内的上方；所述射频发射极，设置在反应腔室内的下方，用于向反应腔室上方发射射频功率信号。本发明通过将射频功率从反应腔室底部导入，并采用连接器与匹配器直接相连的方式，实现了待处理基板沉积速率的显著提升，提高了工艺均匀稳定性。
