导读：作者：宪瑞
尽管日本严格管制半导体材料多少都会影响三星的芯片、面板研发、生产，但是上周三星依然在日本举行了 三星晶圆代工论坛 SFF 会议，公布了旗下新一代工艺的进展，其中 3nm 工艺明年就完成开发了。
三星在 10nm、7nm 及 5nm 节点的进度 ......
作者：宪瑞
尽管日本严格管制半导体材料多少都会影响三星的芯片、面板研发、生产，但是上周三星依然在日本举行了 三星晶圆代工论坛 SFF 会议，公布了旗下新一代工艺的进展，其中 3nm 工艺明年就完成开发了。
三星在 10nm、7nm 及 5nm 节点的进度都会比台积电要晚一些，导致台积电几乎包揽了目前的 7nm 芯片订单，三星只抢到 IBM、NVIDIA 及高通部分订单。不过三星已经把目标放在了未来的 3nm 工艺上，预计 2021 年量产。
在 3nm 节点，三星将从 FinFET 晶体管转向 GAA 环绕栅极晶体管工艺，其中 3nm 工艺使用的是第一代 GAA 晶体管，官方称之为 3GAE 工艺。
根据官方所说，基于全新的 GAA 晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出了 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代 FinFET 晶体管技术。
此外，MBCFET 技术还能兼容现有的 FinFET 制造工艺的技术及设备，从而加速工艺开发及生产。
在这次的日本 SFF 会议上，三星还公布了 3nm 工艺的具体指标，与现在的 7nm 工艺相比，3nm 工艺可将核心面积减少 45%，功耗降低 50%，性能提升 35%。
在工艺进度上，三星今年 4 月份已经在韩国华城的 S3 Line 工厂生产 7nm 芯片，今年内完成 4nm 工艺开发，2020 年完成 3nm 工艺开发。
