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台积电开发出SOT-MRAM阵列芯片,功耗仅为类似技术的1%
来源:互联网   发布日期:2024-01-18 10:20:25   浏览:121047次  

导读:台湾《经济日报》消息,台积电在次世代MRAM内存相关技术传捷报,与工研院共同开发出自旋轨道转矩磁性内存(SOT-MRAM)阵列芯片,搭配创新的运算构架,功耗仅其他类似技术的1%,为台积电抢攻AI、高效能运算(HPC)等当红商机增添动能。...

台湾《经济日报》消息,台积电在次世代MRAM内存相关技术传捷报,与工研院共同开发出自旋轨道转矩磁性内存(SOT-MRAM)阵列芯片,搭配创新的运算构架,功耗仅其他类似技术的1%,为台积电抢攻AI、高效能运算(HPC)等当红商机增添动能。

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