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国民技术:TD-LTE射频芯片前景可期
来源:互联网   发布日期:2013-04-21 20:32:27   浏览:12917次  

导读:国内芯片制造企业国民技术(300077)19日发布年报,受U盾价格及毛利润下滑影响,公司2012年报表稍显黯淡,不过报告称,公司支持多模多频段的TD-LTE终端射频芯片已经开始量产,并对中移动小批量出货。分析人士认为,随着2013年TD-LTE4G建设的推进,公司有望获...

国内芯片制造企业——国民技术(300077)19日发布年报,受U盾价格及毛利润下滑影响,公司2012年报表稍显黯淡,不过报告称,公司支持多模多频段的TD-LTE终端射频芯片已经开始量产,并对中移动小批量出货。分析人士认为,随着2013年TD-LTE4G建设的推进,公司有望获得更多订单。

据悉,国民技术是工信部TD-LTE工作组成员、中国移动4G合作伙伴。公司研发的支持多模多频段的TD-LTE终端射频芯片是国内首个进入TD-LTE移动通讯领域的射频商用芯片。在中国移动2012年度两次采购中,均排名前列,但由于中国移动采购总量有限,该产品对公司2012年业绩贡献不大。

另据了解,公司目前还承担2013年国家重大专项“面向TD-CDMA/TD-LTE/TD-LTE-Advanced的多模终端射频功率放大器(PA)芯片研发”,正在研发高效率的WCDMA PA系列。

国民技术表示,“目前,公司的TD-LTE芯片、PA芯片业务发展良好,但其收入占比较低,还属于市场培育期,未能对公司2012年业绩产生实质性影响。”


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