11月初，工信部公布了TD-LTE规模试验的进展，并表示即将于年底开始的TD-LTE规模试验第二阶段将在终端环节推进TD-LTE多模终端的研发，产业链关于TD-LTE多模终端的消息一时迅速增多。
对3GPP R9协议的功能性能验证，也成为TD-LTE规模试验第二阶段的重点。据悉，在设备方面，国内大部分TD-LTE厂商已推出支持R9版本的TD-LTE设备，国际企业近期也在积极行动。而在终端方面，支持R9协议的品牌还并不多。其中，华为近期推出了全球首款基于3GPP R9协议的TD-LTE多模终端芯片，打响了R9版本的多模终端第一炮。
四厂商年底推多模终端
11月21日，工信部电信研究院院长曹淑敏在业内会议上又提到了TD-LTE终端测试的最新进展，即目前10家TD-LTE芯片厂商中的海思、创毅视讯、高通、Altair、中兴微电子和Sequans等6家已完成了技术试验的测试，而联芯科技、展讯、重邮信科、意法爱立信正在加紧技术测试。
此前，参与TD-LTE技术测试和第一阶段规模试验的终端以单模方案为主，工信部和中国移动在TD-LTE第二阶段规模测试中明确提出了多模要求。据工信部电信研究院沈嘉称，TD-LTE除了本身新技术特征之外还有一个很大特色，是要与2G、3G系统共存，联合发展，为了推进TD-LTE芯片和终端在现有网络中的应用，支持TD-SCDMA和GSM的TD-LTE多模终端方案已被列入下一步TD-LTE规模试验中。从稳步推进的角度考虑，TD-LTE多模方案分为双芯片双待、单芯片双待、单芯片单待等不同阶段。
据悉，目前已有四家终端厂商表示将在今年年底提供多模数据卡或双待手机。
双芯片双待成为多模初期方案
对于选择双芯片双待的方式作为TD-LTE多模终端的引入方案，工信部TD-LTE工作组做了多方面考虑。据沈嘉解释，终端的芯片要实现对多模的支持，并且要支持单待机，从技术实现上是比较复杂的。所以TD-LTE试验中引入多模终端将从双芯片多待的方式开始，即一个LTE单模芯片+TD-SCDMA/GSM商用芯片，组合形成双芯片多模终端。
对此，多家终端厂商在双芯片多模数据卡或双待手机已开始积极布局，将为LTE的应用起到示范作用。
据称，TD-LTE多模终端的单待机和双待机方案各有优劣，单待机方案在终端侧这一角度上可以体现更优的性能，减少终端的耗电，但单待方案的不足之处在于，LTE在短期内不会支持语音，当语音业务和数据业务并发的时候，或者在进行数据业务的时候发生语音呼叫，TD-LTE终端就会涉及从LTE模式转移到3G模式的问题，需要克服不同技术下算法协议不同、延时等问题。所以TD-LTE多模终端初期会采用双芯片双待这样尽管在性能上并不是最优的，但更容易实现、在二阶段规模测试和试商用初期更为稳妥的方式。
沈嘉表示，长远来看，TD-LTE多模终端还是本着单芯片单待的方向分步推进。“实现单芯片单待，芯片在工艺上需要提高，即采用40nm工艺，支持至少TD-LTE/TD-SCDMA/GSM三模。目前已有7家芯片将在明年提供单芯片多模终端，其他芯片厂商计划在2012年底或2013年推出相应产品。”
据悉，TD-LTE规模试验即将在今年年底和明年上半年对双芯片多模终端进行规模测试，明年下半年和后年将有望进行单芯片双待、单芯片单待终端的测试。
单芯片成熟度是关键
在这一大趋势下，芯片企业似乎都加快了单芯片多模方案的研发和测试。据沈嘉称，除了40nm工艺，单芯片多模方案还面临一些技术挑战，例如在一个芯片里实现不同网络的灵活切换，就需要支持不同协议间的交互、协调算法问题。单芯片双待方案还需要同时支持一个终端对两个网络信号的同时接收发送，这对能耗指标也提出了挑战。未来的TD-LTE单芯片单待方案，还要克服数据网络和语音网络间的切换等问题，保障呼叫延时最小化和呼叫成功率更高，这都要芯片终端企业以及设备商联手努力解决。
根据工信部TD-LTE工作组的预测，多模数据卡、多模双待手机、多模单待手机将分阶段达到可商用水平。目前基于双芯片的多模数据卡，在年底前有望实现商用水准，基于单芯片的多模数据卡将在明年陆续推出并具备商用能力。
沈嘉表示，TD-LTE多模终端的逐步成熟取决于单芯片技术的成熟度，总体来看，手机的成熟速度滞后于数据卡。
