导读：据日媒报道，铠侠7月将在四日市工厂开始量产其最先进的218层 3D NAND Flash，与现行品相比，存储容量提高约50%、写入数据时所需的电力缩减约30%。铠侠产线稼动率已在6月回升至100%。
铠侠此前曾宣布，将携手西部数据投资7,290亿日圆量产先进存储产 ......
据日媒报道，铠侠7月将在四日市工厂开始量产其最先进的218层 3D NAND Flash，与现行品相比，存储容量提高约50%、写入数据时所需的电力缩减约30%。铠侠产线稼动率已在6月回升至100%。
铠侠此前曾宣布，将携手西部数据投资7,290亿日圆量产先进存储产品，位于北上工厂厂区内的新厂房将在2025年运转。据铠侠近日公布的NAND Flash路线图显示，到2027年将实现3D NAND 1000层堆叠，这一新时间表比计划提前了四年多。NAND 技术的进步将对包括人工智能、数据中心和消费电子在内的各个领域产生深远影响，推动数据存储解决方案的未来。
